Увеличивающее технические показатели покрытие для транзисторов

Начиная с 80-х годов различными исследовательскими центрами проводятся интенсивные работы по пассивации полупроводниковых приборов (ПП), направленной на модификацию атомной структуры поверхности полупроводника.

В ООО “TESLA Crystals”, основанных на проведенных исследованиях, был разработан новый уникальный (беспрецедентный) продукт: специальное покрытие для кристаллов транзисторов, которое увеличивает технические параметры и характеристики транзисторов во многих положениях.

Во время теста были включены следующие ключевые моменты:

1. Коэффициент передачи тока (увеличение коэффициента) при постоянном токе

2. Максимальные напряжения между коллектором и эмиттером (в открытой базе)

3. Частота, коэффициент до 100000 Гц

4. Напряжение накачки эмиттер-коллектор.

Все эти 4 элемента были протестированы для включения параметров, которые были сопоставлены с исходными данными. Одним из наиболее важных результатов должно быть увеличение максимальной мощности рассеяния на 10-15% и в то же время достаточное снижение пределов рабочей температуры (до 30%) для максимальной мощности исходных данных.

Испытания показали, что в результате пассивации значительно повышаются рабочие параметры полупроводниковых приборов, на порядок и более снижаются токи утечки и, что особенно важно, повышается напряжение поверхностного пробоя. Последнее особенно актуально для лавинообразующих биполярных транзисторов на основе GaAs и других полупроводников A₃B₅, поскольку появляется возможность полного подавления преждевременного поверхностного пробоя при создании высокоскоростных электронных переключателей.

Пассивация поверхности тестовых образцов (25 штук) биполярных транзисторов на основе GaAs была проведена методом наплавления при температурах 120-220^оС слоя специального стекла, толщина которого при использования данного метода составляла 50 и более микрон. Результаты испытаний показали, что пассивация поверхности транзисторов легкоплавкими специальными стеклами позволяет полностью предотвратить поверхностный пробой.

Вышеизложенное подтверждает актуальность разработки промышленной технологии формирования пассивирующего слоя толщиной 1 микрон и ниже. Такие пленки можно получить как конденсацией из паровой фазы, так и методом осаждения из раствора, что более предпочтительно с точки зрения дешевизны, простоты и сохранения соотношения компонентов.

В случае  использования этого метода пассивации, приведет к более экономичному производству и повешению стандартов.

В качестве положительного эффекта следует упомянуть увеличение максимального диапазона параметров электронных компонентов, эффективное использование предварительных емкостей, а также снижение температуры и  существенное повышение качества.

Эксперименты проводились на кремний и GaAs биполярных транзисторах, а также на диодах.

Во время экспериментов экспериментальные транзисторы были специально выведены из строя. Через короткое время (1-2 часа) транзисторы вернулись в свое предыдущее рабочее состояние.

Аналогов нет.